腰が痛いのでPチャンネルFET

どうもこの「腰」はカイロプラクティックと整形外科マッサージの定期メンテのみならず「何もせず過ごす」という日も設けないとならないらしい。

で、腰痛と称して休暇にする（嘘は言ってない）わけだがついでなので思考実験

PチャンネルMOS－FET

（画像は「http://www.hobby-elec.org/ 」さんから）

こいつに「ソース＞ゲート」となるように電圧を与える

ソース側「P半導体」の「＋」の荷電粒子がソースの＋電位と反発する一方、ゲート側の－電位には引っ張られるので、このように「＋」荷電粒子がドレインソース間に流れ出し、ドレインのＰとＮ側のＰ側の間が「＋」で満たされ、電路になる（この電路をチャンネルという）。ひっくり返してソース～ゲート間に電圧掛けることでソース→ドレイン間がオンになる。スイッチになるわけだ。

で。ここでソース側の電極は「Ｎ側半導体」の部分まで広がっている。なので、仮に「ドレイン＞ソース」という形で電圧を掛けると「ドレインのＰとソースのＮ」の間に

こういう電路が出来て電流が流れる。これを寄生ダイオードと呼ぶ。つまり

・ドレインからソースへ→電圧を掛けるだけで流れる

・ソースからドレインへ→ソース～ゲート間に電圧を掛ければ流れる

こういう双方向スイッチである。

で。今作りたいのはこういうの。Aは付けたり外したりする。

電圧Ａ＞ＢかつＢ＝０の時。Ａ→Ｂへ流す。

電圧Ａ≦Ｂの時、Ｂ→Ａへ流す

若手の「設計」・・・豪快だなおい。検証してみよう。なお、寄生ダイオードは独立して書いてある。

Ａ＞Ｂかつ０の時→ソース＋ゲート－でソース→ドレインへ流れる。ＯＫ。

Ａ＜Ｂの時→ドレイン＋ソース－で寄生ダイオードを流れる。ＯＫ。

では他の状態。

●Ｂだけの時（Bの電圧ゼロ）

Aが無いことはソースが浮動電位となる。ソース→ゲート間の電圧を決定する因子が無い。また、ここは耐えられる電圧に制限がある。仮にノイズでデカイ電圧食らうと壊れる。

【解決】ソース→ゲート間に抵抗を付ける必要がある（ソースをプルダウン）。

●Bだけの時（Bに電圧がある）

前提は「Bが電圧を持っている時はBからAへ流す」である。この事はFETを確実にオフにしておくことを要求する。これは「ゲート電位＞ソース電位」とすることで確保出来る（逆バイアス）。

【解決】ゲート側を何らかの方法でB側よりプルアップしておく

・・・本当かオイ。

●Aを接続（Bの電圧ゼロ）

まあFETはオンしてソースからドレインへ行きますわね。ただ、ドレインへ入った電流がB側プルアップ抵抗にも流れる。これによってゲート電位が変化する従ってB側プルアップの抵抗値選定は慎重にする必要がある。

●Aを接続後（AによってBが動作）

安定動作するとは思うが、ソース→ドレイン→プルアップ抵抗経由ゲートってやっぱ気持ち悪い。B側プルアップはドレイン電位から引っ張ったが、可能であれば別電位からもらいたいところ。

●Aの電圧上昇／降下

定電圧回路積んでるだってさ。考えない。

●Aの停止・抜去

何だかんだでソース～ゲート電位が同一になってオフになる

●Aの逆接続

FETは逆バイアスされるだけでセーフ。Bが壊れるかも知れない。保護が欲しいか。

NチャンネルのFETでこれで終わりとちゃうんけ？